Написать нам: Telegram           WhatsApp

IRG4BC30KDPBF

Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220-3
Розничная цена
от 1 ед.
434.60 р.
Мелкооптовая цена
от 10 ед.
303.51 р.
Оптовая цена
от 500 ед.
228.64 р.
Наличие Магазин г. Томск, пер. 1905 г., д. 18
Срок поставки
20 дней

IRG4BC30KDPBF

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz

Pd - рассеивание мощности:100 W

RoHS: Подробности

Вес изделия:6 g

Вид монтажа:Through Hole

Высота:8.77 mm (Max)

Длина:10.54 mm (Max)

Категория продукта:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Конфигурация:Single

Максимальная рабочая температура:+ 150 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер:+/- 20 V

Минимальная рабочая температура:- 55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.21 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C:28 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:28 A

Производитель:Infineon

Размер фабричной упаковки:50

Ток утечки затвор-эмиттер:100 nA

Торговая марка:Infineon Technologies

Упаковка:Tube

Упаковка / блок:TO-220-3

Ширина:4.69 mm (Max)

Скачать PDF